CONDUCTIVIDAD EFECTIVA EN PELICULAS DELGADAS DE SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
CONDUCTIVIDAD EFECTIVA EN PELICULAS DELGADAS DE SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
En este trabajo empleamos un método recientemente reportado(1,2) para calcular la conductividad eléctrica efectiva de un sistema compuesto nanoestructurado en la aproximación de longitud de onda larga. Consideramos primero dos tipos simples de red periódica para representar la morfología de un siste...
Título de la revista: | Anales de la Asociación Física Argentina |
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Primer autor: | G. P. Ortiz |
Otros autores: | L. A. Valdez; G. E. López; B. S. Mendoza; W. L. Mochán |
Idioma: | Español |
Enlace del documento: | https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/13 |
Tipo de recurso: | Documento de revista |
Fuente: | Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 22, No 1 (Año 2011). |
Entidad editora: | Asociación Física Argentina |
Derechos de uso: | Reconocimiento - NoComercial (by-nc) |
Materias: | Ciencias Físicas e Ingeniería --> Física |
Resumen: | En este trabajo empleamos un método recientemente reportado(1,2) para calcular la conductividad eléctrica efectiva de un sistema compuesto nanoestructurado en la aproximación de longitud de onda larga. Consideramos primero dos tipos simples de red periódica para representar la morfología de un sistema compuesto por Silicio crsitalino y Poros. Suponemos que los poros son columnares y el sistema tiene simetría de traslación en la dirección de los ejes de las columnas, por lo que pueden ser bien representados por un arreglo bidimensional de discos circulares. Encontramos que la conductividad tanto como las propiedades ópticas pueden ser controladas mediante la fracción de llenado de poros (porosidad) y el arreglo espacial de los mismos. Esto se debe a la transición de conductor a aislante del sistema cuando atraviesa por el punto de percolación de fases. El mismo resultado se verifica para el caso desordenado sin correlación entre las posiciones de los poros. |
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