CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cu2GeSe4(CRYSTAL STRUCTURE OF THE TERNARY SEMICONDUCTOR Cu2GeSe4)
CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cu2GeSe4(CRYSTAL STRUCTURE OF THE TERNARY SEMICONDUCTOR Cu2GeSe4)
El compuesto semiconductor ternario Cu2GeSe4 ha sido caracterizado mediante difracción de rayos-X en muestras policristalinas y refinado por el método Rietveld. Este compuesto cristaliza en el sistema cúbico, grupo espacial F3m (N°216), Z = 1, con parámetros de celda unidad a = 5.5815(3) Å y V = 173...
| Título de la revista: | Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales |
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| Primer autor: | Gerzon E. Delgado |
| Otros autores: | Jines E. Contreras; Gustavo Marcano; Carlos Rincón; Luis Nieves |
| Palabras clave: | |
| Idioma: | Español |
| Enlace del documento: | http://www.rlmm.org/ojs/index.php/rlmm/article/view/522 |
| Tipo de recurso: | Documento de revista |
| Fuente: | Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales; Vol 35, No 1 (Año 2015). |
| Entidad editora: | Universidad Simón Bolívar (Venezuela) |
| Materias: | Ciencias Físicas e Ingeniería --> Ciencia de los Materiales, Cerámicas Ciencias Físicas e Ingeniería --> Ciencia de los Materiales, Compuestos |
| Resumen: | El compuesto semiconductor ternario Cu2GeSe4 ha sido caracterizado mediante difracción de rayos-X en muestras policristalinas y refinado por el método Rietveld. Este compuesto cristaliza en el sistema cúbico, grupo espacial F3m (N°216), Z = 1, con parámetros de celda unidad a = 5.5815(3) Å y V = 173.88 (3) Å3. El refinamiento de 10 parámetros instrumentales y estructurales convergió a las figuras de mérito Rp= 4.4%, Rwp= 6.8%, Rexp= 5.5%, RB= 6.0% y S= 1.2 para 4001 intensidades y 28 reflexiones independientes. La estructura del Cu2GeSe4 pude ser descrita como derivada de la blenda de zinc donde los átomos de Zn están reemplazados por átomos de Cu y Ge, y por vacancias catiónicas. The ternary semiconductor compound Cu2GeSe4 has been characterized by means of X-ray powder diffraction and refined by the Rietveld method. This compound crystallizes in the cubic system, space group F3m (Nº 216), Z = 1, with unit cell parameters a = 5.5815(3) Å and V = 173.88 (3) Å3. The refinement of 10 instrumental and structural parameters converged to the figures of merit Rp= 4.4%, Rwp= 6.8%, Rexp= 5.5%, RB= 6.0% and S= 1.2 for 4001 step intensities and 28 independent reflections. The Cu2GeSe4 structure can be described as derivative of the zincblende where Zn atoms are replaced by Cu and Ge atoms, and cationic vacancies. |
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