SILICIO MICROCRISTALINO INTRÍNSECO DEPOSITADO POR PECVD DE ALTA FRECUENCIA A MUY BAJA TEMPERATURA

SILICIO MICROCRISTALINO INTRÍNSECO DEPOSITADO POR PECVD DE ALTA FRECUENCIA A MUY BAJA TEMPERATURA

Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de RF. La dilución en hidrógeno del gas...

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Título de la revista: Anales de la Asociación Física Argentina
Primer autor: S. B. Concari
Otros autores: H. Buitrago;
G. Risso;
M. Cutrera;
M. Battioni
Idioma: Español
Enlace del documento: https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/909
Tipo de recurso: Documento de revista
Fuente: Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 11, No 1 (Año 2000).
Entidad editora: Asociación Física Argentina
Derechos de uso: Reconocimiento - NoComercial (by-nc)
Materias: Ciencias Físicas e Ingeniería --> Física
Resumen: Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de RF. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de RF., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición  (~ 170 C), obteniéndose un material apto para uso foto voltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras,  fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis.Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10-3 (Ωcm)-1, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividad.

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