DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DE ZnO:Al COMO CAPA ANTIRREFLECTIVA PARA SU APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES DE SILICIO POLICRISTALINO

DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DE ZnO:Al COMO CAPA ANTIRREFLECTIVA PARA SU APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES DE SILICIO POLICRISTALINO

En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares...

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Título de la revista: Anales de la Asociación Física Argentina
Primer autor: F. Mora
Otros autores: R. H. Buitrago;
R. Urteaga;
H. Juárez;
T. Díaz
Idioma: Español
Enlace del documento: https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/16
Tipo de recurso: Documento de revista
Fuente: Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 22, No 1 (Año 2011).
Entidad editora: Asociación Física Argentina
Derechos de uso: Reconocimiento - NoComercial (by-nc)
Materias: Ciencias Físicas e Ingeniería --> Física
Resumen: En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares de película delgada de silicio policristalino. Se obtuvieron películas con resistencias de lámina de 13 Ω/cm2, transmitancias mayores al 80% en el visible y un factor de textura (Haze) del 14%. Se realizó un tratamiento térmico a 580 oC por 24 hs, para valorar la estabilidad térmica de sus propiedades, encontrando que las mismas no se modifican significativamente. Posteriormente se depositó sobre la capa de ZnO:Al una de a-Si:H por PECVD y se cristalizó por NIC para obtener p-Si. Resultados de DRX, muestran la estructura de p-Si con orientación preferencial en el plano (220). Finalmente se obtuvieron los espectros de reflectancia total para tres configuraciones, las propiedades como película antirreflectante del ZnO:Al no cambian significativamente acoplando a-Si:H o p-Si.

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