DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DE ZnO:Al COMO CAPA ANTIRREFLECTIVA PARA SU APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES DE SILICIO POLICRISTALINO
DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DE ZnO:Al COMO CAPA ANTIRREFLECTIVA PARA SU APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES DE SILICIO POLICRISTALINO
En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares...
Título de la revista: | Anales de la Asociación Física Argentina |
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Primer autor: | F. Mora |
Otros autores: | R. H. Buitrago; R. Urteaga; H. Juárez; T. Díaz |
Idioma: | Español |
Enlace del documento: | https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/16 |
Tipo de recurso: | Documento de revista |
Fuente: | Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 22, No 1 (Año 2011). |
Entidad editora: | Asociación Física Argentina |
Derechos de uso: | Reconocimiento - NoComercial (by-nc) |
Materias: | Ciencias Físicas e Ingeniería --> Física |
Resumen: | En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares de película delgada de silicio policristalino. Se obtuvieron películas con resistencias de lámina de 13 Ω/cm2, transmitancias mayores al 80% en el visible y un factor de textura (Haze) del 14%. Se realizó un tratamiento térmico a 580 oC por 24 hs, para valorar la estabilidad térmica de sus propiedades, encontrando que las mismas no se modifican significativamente. Posteriormente se depositó sobre la capa de ZnO:Al una de a-Si:H por PECVD y se cristalizó por NIC para obtener p-Si. Resultados de DRX, muestran la estructura de p-Si con orientación preferencial en el plano (220). Finalmente se obtuvieron los espectros de reflectancia total para tres configuraciones, las propiedades como película antirreflectante del ZnO:Al no cambian significativamente acoplando a-Si:H o p-Si. |
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