CONDUCTIVIDAD NO-ÓHMICA EN SILICIO DOPADO NANOCRISTALINO: EFECTO DEL CAMPO APLICADO
CONDUCTIVIDAD NO-ÓHMICA EN SILICIO DOPADO NANOCRISTALINO: EFECTO DEL CAMPO APLICADO
En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el...
| Título da revista: | Anales de la Asociación Física Argentina |
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| Primer autor: | S. B. Concari |
| Outros autores: | M. E. Cutrera; R. H. Buitrago |
| Idioma: | Espanhol |
| Ligação recurso: | https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/540 |
| Tipo de recurso: | Artigo de revista |
| Fonte: | Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 15, No 1 (Ano 2004). |
| Entidade editora: | Asociación Física Argentina |
| Direitos de utilização: | Reconocimiento - NoComercial (by-nc) |
| Matérias: | Ciências Físicas e Engenharia --> Física |
| Resumo: | En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 - 2 x104 V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función ~ exp[-(F)1/4]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10 2 V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado. |
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