CONDUCTIVIDAD NO-ÓHMICA EN SILICIO DOPADO NANOCRISTALINO: EFECTO DEL CAMPO APLICADO

CONDUCTIVIDAD NO-ÓHMICA EN SILICIO DOPADO NANOCRISTALINO: EFECTO DEL CAMPO APLICADO

En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el...

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Título da revista: Anales de la Asociación Física Argentina
Primer autor: S. B. Concari
Outros autores: M. E. Cutrera;
R. H. Buitrago
Idioma: Espanhol
Ligação recurso: https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/540
Tipo de recurso: Artigo de revista
Fonte: Anales de la Asociación Física Argentina; Vol 15, No 1 (Ano 2004).
Entidade editora: Asociación Física Argentina
Direitos de utilização: Reconocimiento - NoComercial (by-nc)
Matérias: Ciências Físicas e Engenharia --> Física
Resumo: En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 - 2 x104 V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función ~ exp[-(F)1/4­]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10 2 V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado.